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三星将于 2025 年量产 2nm 芯片

2021-10-08 10:45:35   来源:
导读 在主题演讲中,三星代工业务部门负责人 Siyoung Choi 博士表示,三星代工厂有望在 2025 年下半年使用其 2 纳米制造工艺量产芯片。该

在主题演讲中,三星代工业务部门负责人 Siyoung Choi 博士表示,三星代工厂有望在 2025 年下半年使用其 2 纳米制造工艺量产芯片。该公告是在 2021 年三星代工论坛上发布的表明三星代工将继续开发领先的制造技术,与英特尔和台积电竞争。事实上,在 2 nm 方面,三星代工厂可能比其竞争对手英特尔和台积电更具优势。

“2 nm 有望在 2025 年下半年开始量产,”Siyoung Choi 博士说。“届时,它将代表第三代 GAA 应用的工艺技术。最终,由于之前在 3nm 方面的经验,我们预计该行业向 2nm 的过渡将是顺利的。为迎接未来,三星代工厂将继续加强其在工艺技术方面的能力。”

在这一点上,三星没有透露其 2 nm 级制造技术的特性,尽管与上一代节点相比,期待新节点带来一些性能、功率和晶体管密度改进是很自然的。该公司也没有说明其2纳米制程是否会源自其3纳米节点,或将成为一个全新的分支。

三星代工厂是第一家宣布过渡到全栅极场效应晶体管 (GAAFET) 的芯片制造商,其 3GAE(早期 3 纳米栅极全能)和 3GAP(3 纳米全能栅极+)制造工艺。当时,该公司表示其 3GAE 节点将在 2021 年进入量产,但最终证明该技术将略微推迟到 2022 年。三星在 SFF 2021 上透露,它将在 2022 年上半年准备好量产。最近三星 Foundry 流片了其第一颗 3GAA 测试芯片,因此该技术正在为量产做好准备。

相比之下,英特尔的下一代 I7、I4 和 I3 节点将依赖 FinFET,该公司最早将在 2024 年下半年转向 GAA 晶体管(公司术语中的 RibbonFET)。同时,在 2025 年下半年,英特尔准备好其 18A 制造技术,即第二代 GAA 应用工艺。台积电还将坚持使用 FinFET 的 N4(2022 年)和 N3(H2 2022 年)工艺,并有望在稍后推出采用 N2 制造技术的 GAA 晶体管。

对于芯片制造商和芯片设计人员来说,过渡到新的晶体管结构始终是一个挑战。除了由所有新节点引入并由新电子设计自动化 (EDA) 工具解决的新几何形状、新布局方法、新布局规则和布线规则等增加的可之外,芯片制造商还需要学习如何通过新的晶体管,而芯片开发商需要全新的 IP。

但是早点有它的好处。到 2025 年下半年三星的 2 nm 级技术进入量产时,三星的第三代 GAA 节点将依赖于该公司的多桥沟道场效应晶体管 (MBCFET)。到 2025 年下半年,该公司将在新型晶体管方面拥有相当多的经验,这可能会转化为更高的产量、更高的晶体管密度和/或功率/性能优势。

关于三星的 2 nm 级 MBCFET 制造工艺,有一件重要的事情需要注意。如果它在2025年下半年(7月1日开始)进入量产并在10月份拿到第一批芯片,那么基于这些芯片的实际产品如果一切顺利的话最早要到2026年Q1才能上市。

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