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Kioxia和Western Digital建立新的162层NAND闪存

2021-02-22 15:17:49   来源:

闪存合作伙伴Kioxia和Western Digital在本周透露了新一代3D NAND闪存,它有望比以前生产的产品更快,更密集。

与几年前的BiCS5相比,BiCS6具有162个层,每个晶片的位位数增加了70%。70%的体积可使NAND芯片尺寸减少40%,从而有助于降低制造成本。

根据供应商的公告,所有这些增强功能在读取和写入性能方面均产生了出色的性能结果。他们声称,通过同时在CMOS下进行电路布置和四平面操作,我们可以预期BiCS6 NAND闪存的写入速度比其前代产品快2.4倍。请注意,BiCS5同时具有四平面和双平面设计,而BiCS6仅使用四平面设计。

据报道,与BiCS5的1066 MT / s相比,BiCS6以1600MT / s的速度运行时I / O性能也有了显着提高。这有助于使该技术与Micron和SK Hynix等竞争厂商保持一致,后者也使用1600 MT / s的速度。

这只是BiCS6功能的公告,因此尚不知道何时生产。但是,如果是BiCS5之类的产品,则还需要一年的时间,我们才能看到采用该新技术的最佳SSD。

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