闪存合作伙伴Kioxia和Western Digital在本周透露了新一代3D NAND闪存，它有望比以前生产的产品更快，更密集。
与几年前的BiCS5相比，BiCS6具有162个层，每个晶片的位位数增加了70%。70%的体积可使NAND芯片尺寸减少40%，从而有助于降低制造成本。
根据供应商的公告，所有这些增强功能在读取和写入性能方面均产生了出色的性能结果。他们声称，通过同时在CMOS下进行电路布置和四平面操作，我们可以预期BiCS6 NAND闪存的写入速度比其前代产品快2.4倍。请注意，BiCS5同时具有四平面和双平面设计，而BiCS6仅使用四平面设计。
据报道，与BiCS5的1066 MT / s相比，BiCS6以1600MT / s的速度运行时I / O性能也有了显着提高。这有助于使该技术与Micron和SK Hynix等竞争厂商保持一致，后者也使用1600 MT / s的速度。
这只是BiCS6功能的公告，因此尚不知道何时生产。但是，如果是BiCS5之类的产品，则还需要一年的时间，我们才能看到采用该新技术的最佳SSD。
