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三星令人难以置信的MRAM即将在可穿戴设备中使用

2021-02-09 15:00:08   来源:

三星令人难以置信的快速MRAM解决方案即将在可穿戴设备中使用

据报道,SEMICON Korea的Samsung Foundry首席工程师Han Shin-hee通过The Elec透露,三星正将注意力转向新兴的MRAM市场,目的是将MRAM技术的应用扩展到其他领域。该公司希望其MRAM芯片可用于IoT和AI以外的更多领域,例如图形内存,低级缓存,汽车市场,甚至可穿戴设备。

三星多年来一直致力于MRAM,并于2019年中开始批量生产其首个商业MRAM解决方案。它是使用28nm FD-SOI工艺制造的。该解决方案的容量有限,这是MRAM的缺点之一,但据报道已应用于IoT和AI芯片以及NXP制造的微控制器。巧合的是,如果恩智浦继续下一波并购浪潮,它将很快归三星所有。

三星现在希望MRAM成为适用于更多细分市场和应用的可行解决方案,因为预计到2024年全球MRAM市场的价值将达到12亿美元。

什么是MRAM,它与DRAM有何不同?

MRAM代表磁敏随机存取存储器。甲小号反对闪存/ DRAM(动态随机存取存储器),其将数据存储为电荷,MRAM是非易失性的解决方案,由两层铁磁膜的用途磁存储元件和薄的势垒来存储数据。

实际上,MRAM的速度非常快,并且可以比eFlash快1000倍。部分原因是因为MRAM在写入新数据之前不必执行擦除周期。与传统的存储介质相比,它还需要更少的能量。

另一方面,MRAM的最大弱点在于其低存储容量,这是它在市场上占据相对狭窄利基而不是打入主流的原因之一。但是据报道,由于三星现在希望MRAM在更多领域取得成功,因此该技术很快就可以用于可穿戴设备和其他移动设备中。

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