在为期三天的2020年虚拟闪存峰会期间,NEO半导体的首席执行官兼创始人许志安(Andy Hsu)进行了详细的演讲,介绍了该公司的新X-NAND闪存架构,该架构有望将SLC闪存的速度与密度和低价格结合在一起QLC闪光灯。
NEO Semiconductor于2012年在加利福尼亚州圣何塞成立,并拥有20项与存储器相关的专利。该公司于2018年首次公开了其X-NAND,作为面向AI和5G新兴市场的存储解决方案,但现在已经分享了深入的细节。
X-NAND承诺提供引人入胜的性能数字:该公司声称其随机读取和写入工作量比QLC闪存快3倍,并且在顺序读取和写入工作量方面分别胜过27倍/ 14倍(请参见上文)。这是通过更小的裸片实现的,该裸片的尺寸约为16平面设计的尺寸的37%(见下文)。这里有一些灵活性,因为可以根据需要平衡速度和减小芯片尺寸。尽管如此,X-NAND即使在较小的外形尺寸下也能提供极高的并行度,就像您在智能手机或M.2驱动器中所看到的那样。该公司还声称,可以在不影响耐用性或成本的情况下实现这一目标,并且消耗的功率非常少。
随着NAND市场转向价格更便宜但速度更慢的闪存以提高密度(例如,从3位TLC到4位QLC),性能和耐用性从本质上降低了。读写延迟增加,这可能会降低顺序写入性能。这对于数据中心和NAS应用程序尤其有害。