三星高级技术学院(SAIT)的研究人员与蔚山国立科学技术学院(UNIST)和剑桥大学合作，揭开了一种名为非晶态氮化硼(a-BN)的新材料的发现。该研究发表在《自然》杂志上，有可能加速下一代半导体的问世。
三星非晶氮化硼发现技术可能会成为下一代半导体的关键-二维材料是克服可扩展性问题的关键
最近，SAIT一直在研究和开发二维(2D)材料-具有单原子层的晶体材料。具体而言，该研究所一直致力于石墨烯的研究和开发，并在该领域取得了突破性的研究成果，例如开发新的石墨烯晶体管以及生产大面积单晶晶圆规模的新方法。石墨烯。除了研究和开发石墨烯外，SAIT还致力于加速材料的商业化。
Stardew Valley Update 1.5持续稳定发展;将添加大量的终端游戏内容
“为了增强石墨烯与基于硅的半导体工艺的兼容性，应在低于400°C的温度下在半导体衬底上实现晶圆级石墨烯生长。”石墨烯项目负责人兼首席研究员Hyeon-Jin Shin说。在SAIT。“我们还在不断努力，将石墨烯的应用范围扩展到半导体以外的领域。” 通过三星
新发现的材料称为非晶氮化硼(a-BN)，由具有非晶分子结构的硼和氮原子组成。尽管非晶态氮化硼衍生自白色石墨烯，其中包括以六边形结构排列的硼和氮原子，但实际上a-BN的分子结构使其与白色石墨烯具有独特的区别。
三星凭借新材料发现引领半导体范式转变
“最近，人们对2D材料及其衍生的新材料的兴趣不断增加。然而，将材料应用于现有的半导体工艺仍然存在很多挑战。” SAIT副总裁兼SAIT无机材料实验室负责人Park Seongjun Park说。“我们将继续开发新材料来引领半导体范式的转变。” 通过三星
非晶氮化硼具有1.78的同类最佳的超低介电常数，具有强大的电气和机械性能，可以用作互连隔离材料以最大程度地减少电干扰。还证明了该材料可以在仅400°C的低温下以晶圆级生长。因此，预计非晶氮化硼将广泛应用于诸如DRAM和NAND解决方案的半导体，尤其是在用于大型服务器的下一代存储解决方案中。
