全球先进存储技术的领导者三星今天宣布计划扩大其在韩国平泽市的NAND闪存生产能力，以增强该公司满足新兴技术需求的能力。该工程于今年5月开始，将为2021年下半年大规模生产三星的尖端V-NAND存储器铺平道路。
三星将使用该工厂进行V-NAND存储器的量产
三星电子存储器全球销售与市场部执行副总裁Cheol Choi表示：“这项新投资重申了我们致力于在存储技术领域保持领先地位的承诺，即使在不确定的时期也是如此。“我们将继续以最优化的解决方案为市场服务，同时为整个IT行业和整体经济的增长做出贡献。”
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在人工智能，物联网和5G扩展推动下的第四次工业革命时代，增加的容量将在帮助满足NAND闪存的中长期需求方面发挥重要作用。随着数字生活方式的普及，三星将继续积极进行新的投资，以抓住未来的市场机会。三星的NAND闪存生产网络已从韩国的华城和平泽扩展到的西安。三星的平泽校区成立于2015年，是下一代存储技术的枢纽，由世界上最大的两条生产线组成。
三星凭借其在制造和技术上的显着优势，在过去18年中一直保持着NAND闪存的领导地位，最近的一项创新是去年7月推出的业界第一代第六代(1xx层)V-NAND。通过在全球各地进行平衡投资，三星旨在维持稳健的生产网络，从而进一步巩固其市场领导地位。
三星的NAND技术不断进步，其V-NAND的生产可追溯到2013年，并且每年对其进行不断升级，现在已是第6代。这家工厂将进行更多生产，从而生产出更好的手机。
