创建3D内存芯片并不难。但是打包存储单元以便它们包含大量密集存储是困扰芯片制造商一段时间的问题。内存芯片启动 Crossbar表示已经找到了一种方法来创建具有大量密集电路的3D结构。
结果可能是可以在非常小的空间中存储大量数据的存储器芯片。总部位于加利福尼亚州圣克拉拉的Crossbar 今天在旧金山举行的2014年国际电子设备会议上披露了所谓的突破性创新。它将实现高密度存储，具有更快的响应时间和更低的功耗。因此，从数据中心到智能手机，它可能非常有用。
Crossbar开发了定制的电阻式RAM(随机存取存储器)芯片，旨在打破600亿美元的闪存芯片市场。该公司称，Crossbar可以在一张邮票大小的芯片上安装数TB的数据，并且可以比现有的最佳闪存快20倍地访问这些数据。
该公司的专利发明是现场辅助超线性阈值选择器，旨在克服被称为潜行路径电流问题的问题。这种意外电流会干扰从各个存储单元中可靠读取数据 - 这是业界最具挑战性的障碍之一。Crossbar的工程师已经找到了一种方法来抑制这种潜行路径电流。
Crossbar表示，这项发明意味着其3D RRAM太字节芯片产品即将投入商业化。
当我们在十八个月前推出Crossbar RRAM时，我们制定了积极的计划，推出新一代内存，能够在一张邮票大小的芯片上扩展到1TB(TB)，”Crossbar首席执行官George Minassian表示。在一份声明中。“Crossbar继续克服过去的主要技术障碍，使其他人无法将RRAM推向市场。凭借这一最新成果，我们向商业化迈进了一步，实现了商业产品中RRAM技术的实施; 这是一项突破性的成就，将重新定义企业存储和高容量非易失性SoC存储器的可能性。“
该解决方案被称为1TnR(1个晶体管驱动n个电阻存储单元)。它使单个晶体管可以管理大量互连的存储器单元，从而实现非常高容量的固态存储。虽然1TnR使单个晶体管能够以非常低的功率驱动超过2,000个存储器单元，但它也会经历泄漏的潜行路径电流，这会干扰典型RRAM阵列的性能和可靠性。Crossbar的设备通过利用超线性阈值层解决了泄漏问题。
在该层中，在阈值电压处形成易失性传导路径。该器件是业界首款能够在极小尺寸下抑制漏电流的选择器，并已在四兆位测试存储器芯片中成功演示。
市场研究公司WebFeet Research的创始人兼首席执行官艾伦·尼贝尔说：“如果没有一种有效的方法来抑制潜行路径，高密度3D RRAM在技术上是无法实现的。” “Crossbar的选择器是第一个克服这一设计挑战的解决方案，为TB级存储芯片成为现实铺平了道路，并将RRAM定位为领先的下一代NAND存储器替代产品。”
纵横公司成立于2010年，拥有资金来自凯鹏华拜尔斯风险投资公司Artiman，北极光创投，密歇根大学，软银赛富合伙人，韩国投资合作伙伴，CBC Capital和陶投资。
