提高速度和减小数据存储设备的尺寸需要获得对使电子旋转的力的控制。在EPJ B最近发表的一项研究中，John Kay Dewhurst及其同事开发了一种新理论来预测受到超短激光脉冲的材料中自旋过程的复杂动力学。这种方法的优点是它具有预测性。
数据存储设备的改进速度没有科学家们想象的那么快。当物理学家获得对电子旋转的精确控制时，更快和更紧凑的记忆存储设备将成为现实。他们通常依靠超短激光来控制旋转。然而，通过旋转控制改进存储装置需要首先开发控制作用在这些电子旋转上的力的方法。在EPJ B最近发表的一项研究中，John Kay Dewhurst及其同事开发了一种新的理论来预测一旦材料受到超短激光脉冲的自旋过程的复杂动力学。考虑到内部旋转力的影响，这种方法的优点在于它具有预测性。
在这项研究中，作者研究了发射超短激光脉冲(低于100飞秒)对体内钴，镍以及这些金属与铂的组合的内部电子自旋旋转的影响。这些金属通常用于自旋电子器件 - 利用电子自旋的额外自由度的电子器件。与先前的研究不同，磁矩被迫与产生它的内部磁场对齐，在本研究中，作者使用完全不对齐的方法来创建理论描述。因此，旋转旋转对自旋动力学的贡献被考虑在内。这使得该方法适用于比以前的方法更广泛的磁性材料组。
作者发现，当磁能的不同方向 - 或磁各向异性能量 - 的变化很小时，内部自旋旋转力仅对自旋动力学有显着贡献。高度对称的材料就是这种情况，例如具有立方结构的块状金属。当这种磁各向异性能量大时，自旋旋转效应太小而不会导致旋转的任何显着进动低于100飞秒。此外，与其他自旋现象相比，由内部自旋 - 旋转引起的自旋动力学是缓慢的，例如由自旋轨道介导的电子和自旋翻转之间的位点间自旋转移。
